中科檢測 > 技術文章 > 半導體集成電路可靠性測試的內容及數據處理方法的介紹
半導體集成電路可靠性測試的內容及數據處理方法的介紹
發布時間:2022-01-06 332

  1.半導體集成電路的可靠性測試

 

  1.1半導體的可靠性

 
  當前,使用被動篩選的方式是我國國內檢驗半導體可靠性的重要方法,然而這種方法需要投入大量人力物力,利用原始的人工篩選方式將可靠性不達標的半導體篩選出來,效率極低。同時這種方法耗時長、成本高,最重要的是,這種方法無法從根本上提高半導體的可靠性。
 
  因此,當前需要知道在什么條件下才能制作出可靠性能高的半導體,從而進一步避免半導體使用過程中發生失效。這就要求我們綜合考慮制作周期、制作工藝、制作條件對半導體可靠性能的影響,通過科學的數據分析對半導體進行設計。
 

  1.2半導體集成電路工藝的可靠性

 
  如果想最大限度的提高半導體集成電路的可靠性,采用的主要方法就是加強對制造工藝的研究,這個研究是可靠性測試提升的關鍵。在半導體集成電路可靠性測試的研究中,分析制造工藝能夠在哪些方面影響半導體集成電路可靠性的使用,保證可靠性測試的工藝是有在進行重要的監測與控制,構造集成電路產品可靠性測試的評價規范程序和方法,這些工作都是能夠保障半導體集成電路可靠性測試的研究。
 
  因此,要保證產品實物的可靠性,就必須要保證生產工藝的可靠性。在研究評價制造工藝的可靠性中,半導體集成電路可靠性對產品的質量以及使用時間有著重要的影響,集成電路生產工藝的可靠性同樣重要,兩者共同點都是以高標準的制作工藝作為基礎,以此來保證半導體集成電路成品的可靠性。
 

  2.注入熱載流的測試技術和處理數據方法

 

  2.1注入熱載流子的測試

 
  在評估半導體式集成電路可靠性測試中,在晶圓級別注入熱載流子的測試是一項重要內容,對熱載流子的測試主要利用的是實際能量和變焦費米能級。半導體式集成電路的器件中,源電壓遺漏之所以會出現載流子的漏電極限,主要因為在漏端周圍有高電場強度出現,一旦載流子進入強電場范圍中,高能的能量子就變成熱載流子,且電子在碰撞中熱載流子會發生新電子的空穴對,深化電離反應。
 
  在熱載流子的數量增加時,能量也增多。在電離反應中,熱載流子開展測試要經過長時間的電應力,測量不同電性參數的具體數值。
 

  2.2處理數據的方法

 
  半導體式集成電路的元器件中,對測試熱載流子的過程、處理熱載流子數據的手段有標準化的規定。通常情況下,變化量的電性參數會隨著時間變化,并逐漸演變為冪函數關系,其表達式為Y(f) =Ctn.Y(t)可以表示隨時間變化,電性參數出現相應變化,其計算公式為:Y(t) =P(t) -P(0)/P(0)
 
  式中:P(0)為參數原始數據;P(t)為t時刻電性參數發生的演變量。此外,選擇數字來表示記錄電性參數的時間間隔,比如10s、20s。在測試熱載流子中,半導體式集成電路的器件通過處理數據,獲取熱載流子的測試數據,公式為lnY(f) =nInt+lnC,針對所得計算出參數n和c的具體數值。
 
  通常情況下,在做完熱載流子的試驗后,在對有關試驗數據進行整理的過程中,要依據預定參數的數值深入計算電性參數發生的變化量,一直到與預定的數值、時間相符。在熱載流子試驗中,不同的樣品所需要的試驗時間也有所不同,通過這些不同的時間能預先判斷測試熱載流子的使用周期和壽命。
 
  熱載流子試驗中,一般采取的壽命模型公式為:ttarId=WH (IWB/Id)式中:H為擬合的線性參數;IWB為襯底電流;Id為漏電流;W為柵寬度。

 
半導體集成電路可靠性測試

  3.測試柵氧化層的技術和處理數據的方法

 

  3.1斜坡電壓的測試

 
  斜坡電壓的測試主要是在柵極上添加線性的斜坡電壓,直到電壓將氧化層擊穿。與斜坡電壓的測試不同,斜坡電流的測試主要是將一定指數的斜坡電流添加到柵極上面,一直到擊穿養護層。斜坡電壓測試和斜坡電流測試都是測量柵氧化層在缺陷時,其密度情況。
 
  通常斜坡電壓測試要在電壓的一定范圍中開展。如果氧化層被電壓擊穿,則電壓小于設定電壓,證明氧化層出現了缺陷,同時能確定柵養護層處于無效狀態。以 Poisso分布為前提的成品率公式能利用公式將相應缺陷密度計算出來,其中,Y為成品率,即有效樣品在總測試樣品中所占的比例;A為受測樣品的面積;Do為缺陷密度。
 
  在利用電壓和斜坡電流大量測試過成本后,利用計算公式得到成品率,同時借測試樣本的面積計算缺陷密度。如果缺陷密度不符合設置標準,就代表測試失敗。
 

  3.2介質擊穿實驗

 
  介質擊穿就是時間有關的介質擊穿,其測試流程主要為:在柵極上加本征擊穿的場強,保證該場強比柵氧化層小,則不會出現本征擊穿。但因電應力施加中氧化層會出現缺陷,一段時間后會有擊穿現象出現。
 
  在對集成電路可靠性測試進行評定時,主要限制因素是同樣時間下柵氧介質發生的擊穿。通常電流過高會造成電荷發生累積反應,氧化硅的電場超出限制,導致擊穿現象出現。
 
  以上就是關于半導體集成電路可靠性測試及數據處理的方法介紹,希望對大家有所幫助。
 
  作為國科控股的旗下第三方檢測機構——中科檢測,是一家集檢驗檢測、技術服務、咨詢、培訓為一體的綜合性第三方檢測機構,不但可以開展半導體集成電路可靠性測試,同時還提供老化試驗、毒理檢測、病毒檢測等服務,中科檢測過的產品及體系認證、計量、驗貨、培訓、標準及行業服務、能力驗證、技術咨詢等全產業鏈質量保證服務,幫助合作伙伴在競爭中保持優勢。


相關資訊

查看更多 >
檢測服務
檢測標簽
檢測專題
檢測標準
檢測文章
免費咨詢
可加急,最快5分鐘成交,最遲2小時聯系
* 咨詢內容
您的稱呼
* 手機號碼
+86
電子郵箱